Microsoft Word Materiallar Full Mənim gənclərə xüsusi

Elçin HÜSEYNOV 

AMEA - nın  Radiasiya Problemləri İnstitutu 

[e-mail], [e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

Təcrübədə istifadə olunan nanomaterialın xüsusi səth sahəsinin 160m

2

/q, ölçülərinin 20nm və  təmizliyinin 99,5% 

olduğu öncəki tədqiqatlardan məlumdur və istifadə olunan nümunənin bəzi parametrləri öyrənilmişdir [1-3]. Təqdim olunan 

işdə nümunələr Sloveniyanın Lyublyana şəhərində Jozef Stefan İnstitutunun “Reaktor Mərkəzində” TRIGA Mark II yüngül 

su (light water pool type reactor) tipli tədqiqat reaktorunda mərkəzi (kanal A1) kanalda 2x10

13

 n/sm

2

san sel sıxlığına 

malik[4,5] neytron seli ilə tam güc rejmində (250kVt) şüalandırılmışdır. 

Nano SiO

2

 birləşməsi Jozef Stefan İnstitutunun “Nazik təbəqələr və səthlər fizikası” lobaratoriyasında xüsusi şəraitdə 

7kN/sm

2

  təzyiqdə  sıxılaraq hündürlüyü 550 μm və diametri 5.5mm olan tabletka formasında hazırlanaraq reaktorun 

kanallarına uyğun alüminium konteynerdə yerləşdirildi. Hazırlanmış sınaq nümunəsi ilk olaraq beş dəqiqə süalandırıldı və 

aktivlik analizləri aparıldı. Sonra digər 8 nümunə 4 qrupa ayrıldı və 5, 10, 15, 20 saat kimi müxtəlif müddətlərdə, hər biri 

ayrı – ayrılıqda kəsilməz olaraq sel sıxlığının 2x10

13

 n/sm

2

san qiymətində mərkəzi kanalında (Kanal A1) tam güc (250kVt) 

rejmində  şüalandırıldı.  İlkin və  şüalanmadan sonra nümunələrin səthinə xüsusi şəraitdə gümüş kontaktlar vuruldu və 

kontaktların təmizliyi mikroskop altında yoxlandı. Sonra platin altlıq və üstlükdən istifadə edilərək nümunələrin elektrik 

keçiriciliyi Jozef Stefan İnstitutunun “Keramika Elektronikası K5” lobaratoriyasında “Novocontrol Alpha High Resolution 

Dielectric Analyzer” cihazında dəyişən sahə üçün (~0,5V) temperaturun 100 – 400 K intervalında ölçülmüşdür. Ölçmələr 

zamanı temperaturun hər hansı dərəcədə saxlanma dəqiqliyi 0,001K kimi olmuşdur və bu dəqiqlik körpü metodu ilə əldə 

edilmişdir. Təcrübələrdən birbaşa nümunələrin müqaviməti ölçülmüşdür və buradan nümunələrin məlum parametrləri 

nəzərə alınaraq elektrik keçiricilikləri hesablanmışdır. Hesablanmış qiymətlərə uyğun alınan bütün nəticələr “OriginPro 9.0” 

proqramında qrafik olaraq təsvir edilmişdir. 

Ölçmələr zamanı nümunələrin elektrik keçiriciliyinin temperatur asılılıqları müxtəlif tezliklərin sabit qiymətlərində 

nəzərdən keçirilmişdir. Təcrübələr tezliyin 0,09 – 2260000 Hs aralığında 90 müxtəlif sabit qiymətlərində aparılmışdır və 

ölçmələr zamanı  məlum olmuşdur ki, tezliyin müxtəlif qiymətlərində keçiriciliyin temperatur asılılığı  fərqlidir. Tezlik 

aralığının geniş olduğunu və sabit qiymətlərin çoxluğunu nəzərə alaraq biz burada bu tezlik aralıqlarını şərti olaraq üç qrupa 

ayırmışıq. Birinci qrupu şərti olaraq aşağı tezliklər (0,09 – 10 Hs) oblastı, ikinci qrupu orta tezliklər (100 – 45000 Hs) 

oblastı  və üçüncü qrupu yüksək tezliklər (200000 – 2260000 Hs) oblastına ayırmaq olar. Biz burada sadəcə  aşağı tezlik 

oblastında elektrik keçiriciliyinin temperatur asılılıqlarını nəzərdən keçirəcəyik (Şəkil).  

 

Şəkil. Aşağı tezlik oblastında müxtəlif tezliklərdə elektrik keçiriciliyinin temperatur asılılıqları 

Şəkillərdən göründüyü kimi ilkin nümunənin (control sample) elektrik keçiriciliyi temperaturun demək olar ki, xətti 

artan funksiyasıdır. Lakin müxtəlif müddətlərdə neytron şüalanmaya məruz qalmış nümunələrin elektrik keçiriciliyi 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

17 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

temperaturdan xətti asılı deyil. Temperaturun 100 – 330 K qiymətləri aralığında keçiriciliy temperaturdan düz mütənasib 

olaraq artsa da, temperaturun təqribən 330 K qiymətindən başlayaraq keçiricilik demək olar ki dəyişmir. Bütün hallarda 

şüalanma müddətinin artması ilə keçiricilik artır və bu fərq temperaturun 200 – 350 K aralığında daha kəskin hal alır. Bunu 

isə şüalanma müddətinin artması ilə nümunələrdə yaranan və şüalanma müddətindən düz mütənasib asılı olaraq artan yeni 

yükdaşıyıcılarla izah etmək olar.  

Ədəbiyyat 

1.  E.M.Huseynov, A.A.Garibov, R.N.Mehdiyeva “Calculation of the specific surface area of SiO

2

 nanopowder and getting nano-SiO

2

-

H

2

O systems” Azerbaijan Journal of Physics ISSN 1028-8546, Volume XIX, Number 1, p. 10-14, Azerbaijan 2013 

2.  E.M. Huseynov, A.A.Garibov, R.N.Mehdiyeva, “Synthesis methods of nano SiO

2

 powder” Transactions of National Academy of 

Sciences of Azerbaijan, Series of Physics – Mathematical and Technical Sciences, Physics and Astronomy, ISSN 0002-3108 Vol. 

XXXII N5, p 83-88/152, Azerbaijan 2012 

3.  E.M.Huseynov, N.A.Novruzov “DTA and TG analysis of nano SiO

2

 - H

2

O systems” New Challenges in the European Area: Young 

Scientist’s 1st International Baku Forum p. 150-151, Azerbaijan 2013  

4.  Luka Snoj, Gasper Zerovnik, AndrejTrkov “Computational analysis of irradiation facilities at the JSI TRIGA reactor”, Applied 

Radiation and Isotopes, 70, 483–488,Jozef Stefan Institute, Slovenia (2012) 

5.  Luka Snoj, Matjaz Ravnik “Calculation of power density with MCNP in TRIGA reactor”. In: Proceedings of the International 

Conference Nuclear Energy for New Europe 2006, Portoroz, Slovenia, Paper no. 102. Slovenia, (2006) 

 

 

 

 

Eu NADIR TORPAQ ELEMENTİ İLƏ AKTİVLƏŞDİRİLMİŞ Ca(Al

x

Ga

1-

x

)

2

S

4

BİRLƏŞMƏLƏRİNİN SİNTEZİ VƏ LÜMİNESSENSİYA XASSƏLƏRİ 

 

Elşən ƏSƏDOV 

Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası, Fizika İnstitutu 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

Nadir torpaq elementləri ilə aktivləşdirilmiş, ümumi formulu II-III

2

-VI

4

olan CaGa

2

S

4

 birləşməsinin lüminessensiya 

xassələri bü günə kimi kifayət qədər öyrənilmişdir[1-2]. Məlumdur ki, bu birləşmələr yüksək effektivli lüminessent material 

kimi müxtəlif məqsədlər üçün istifadə oluna bilər. Son zamanlarda bu tip birləşmələrə  əlavə kationun daxil olunması ilə 

daha effektiv lüminoforların alınması aktualdır. 

Bu işdə ümumi formulu II-III

2

-VI

4

olan CaGa

2

S

4

 birləşməsində Ga elemntinin qismən Al elementi ilə  əvəz 

olunmasından alınan bərk məhlulların luminessensiya xassələri araşdırılmışdır. Al elementinin CaGa

2

S

4

 matrisasına  əvəz 

olunma ilə daxil olması nümumnədə effektivliyi daha da artırır vəalınmış  Ca(Al

x

Ga

1-x

)

2

S

4

 birləşmələrində x-dən asılı olaraq 

lüminessensiya intensivliyinin maksimumunu dəyişdirmək, yəni işığı idarə etmək mümkündür. 

Nümunələrin sintezi üçün CaS, Al

2

S

3

 və Ga

2

S

3

 ikiqat birləşmlərindən istifadə olunmuşdur. Bu ikiqat birləşmələrdən 

Al

2

S

3

 və Ga

2

S

3

 bərk cisim reaksiyası ilə alınır. 

2Al + 3S 

 

 Al

2

S

3

 

2Ga + 3S 

 

 Ga

2

S

3

 

CaS birləşməsi isə CaCO

3

 birləşməsinin H

2

S mühitində parçalanması yolu ilə alınır. Bu reaksiya 900

0

S temperaturda və 20 

saatlıq prosesin nəticəsindən alınır:   

CaCO

3

+H

2

S

 

CaS+H

2

O+CO

2

 

Ca(Al

x

Ga

1-x

)

2

S

4

birləşmələri, alınmış ikiqat birləşmələrin stexiometrik qarışığından kvars ampulada və vakuumda (10

-4

 mm. 

civə süt.) bərk cisim reaksiyası ilə alınır.  

CaS + x(Al

2

S

3

) + (1-x)(Ga

2

S

3

) 

 

Ca(Al

x

Ga

1-x

)

2

S

4

 

Sintezprosesi 1100

0

S temperaturda 1 saataparılırvəikincimərhələdəalınmışnümunələr 800

0

S temperaturda 4 saatgözlədilir. 

Alınannümunələrinfotolüminessensiya (FL) vəfotolüminessesniyanınhəyəcanlanmaspektrlərinəotaqtemperaturunda 

Perkin Elmer LS-55 spektrometrindəbaxılmışdır. CaGa

2

S

4

;Eu birləşməsinin FL spektrininmaksimumu 560 nm-əuyğundur 

[3].Al elementinindaxilolmasıisəonugöstərmişdirki, lüminessesniyanınintensivliyidaha da yüksəlirvəspektrinmaksimumu Al 

konstentrasiyasınınartmasıiləqısadalğatərəfəsürüşür. 

 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

18 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

Ədəbiyyat 

1.  Georgobiani A.N., Tagiev B.G., Tagiev O.B.,Izzatov B.M.. The photoluminescence of CaGa

2

S

4

 and CaIn

2

S

4

 doped 

with rare-earth elements //Cryst.Res.Techn., 1996, 31, pp.849-852. 

2.  Peters T.,Baglio J. LuminescenceandStructural Properties ofThiogallate Ce

3+

and Eu

2+

activated Phosphors  //J. 

Electrochem. Soc. 1972, v. 119,No 2, p.230-236  

3.  Chongfeng Guo,Chunxiang Zhang,YühuaLü, Qiang Tang Qiang Su. Luminescentpropertiesof Eu

2+

and Ho

3+

co-

doped CaGa

2

S

4

phosphor // Phys. stat. sol. Vol. 201, Issue 7, p. 1588–1593, 2004 

 

 

 

LYS-GLY  DİPEPTİD MOLEKULUNUN NƏZƏRİ KONFORMASİYA ANALİZİ  

 

El

şad

CƏFƏROV 

Qafqaz Universiteti 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

Nəzəri konformasiya analizi üsulu ilə Lys-Gly dipeptid molekulunun konformasiya xüsusiyyətləri müəyyən 

olunmuşdur. Hesablama nəticəsində Lys-Gly dipeptidinin məhdud sayda ən optimal konformasiya vəziyyətləri aşkar 

olunmuş və bu konformasiyaları stabilləşdirən quvvələrin təbiəti və enerji payları müəyyən olunmuşdur. Lys-Gly dipeptid 

üçün bütün optimal fəza quruluşların ikiüzlü fırlanma bucaqlarının qiymətləri və atomların üçölçülü koordinatları 

alınmışdır.  

Dipeptid molekullarının bioloji sınaqları göstərdi ki, onların bəzilərinin müəyyən farmakoloji xüsusiyyətləri var. 

Yüklü radikalları  olan  amin  turşularının qalıqlarından təşkil olunmuş dipeptidlər müxtəlif reseptorlara qarşı aqonist və 

antaqonist aktivliyinə malikdirlər. Lys-Gly dipeptidi belə dipeptidlərdən biridir. Bu Lys–Gly dipeptidinin sinir sisteminin 

xəstəliklərinin müalicəsində istifadə edilməsi nəzərdə tutulur [1]. 

Peptid molekullarının təsir mexanizmini tədqiqi üçün ilk növbədə onların fəza quruluşunu və konformasiya 

imkanlarını öyrənmək vacibdir. Məlumdur ki, peptidlər fizioloji şəraitdə bir yığım oxşar stabil konformasiya 

vəziyyətlərində olurlar. Təcrübi üsullar vasitəsi ilə peptid molekulun kristalda və ya məhlulda yalnız bir ortalaşmış 

konfomasiya vəziyyətindən məlumat verirlir. Hazırda təcrübi üsullarla yanaşı peptid molekulların quruluş tədqiqində nəzəri 

yarımempirik hesablama üsullarından geniş istifadə edilir. Nəzəri konformasiya analizi üsulu bu üsullardan biridir. Nəzəri 

konformasiya analizi üsulu peptid molekulun bütün optimal konformasiya vəziyyətlərinin enerji və həndəsi parametrlərini,  

konformasiyalarda qarşılıqlı təsir qüvvələrin təbiətini və rolunu muəyyən etməyə imkan verir. 

Təqdim edilmiş məqalədə Lys–Gly dipeptidin fəza quruluşu nəzəri konformasiya analizi üsulu ilə tədqiq olunmuşdur. 

İlkin hesablama variantlarının seçilməsində Lys qalığı üçün 2 mümkün olan əsas zəncirin konformasiya vəziyyətləri 

B,R və Gly üçün isə 4 B,R,L,P formalı variantlardan istifadə olunmuşdur. Məlumdur ki, iki qalıqdan ibarət olan peptid 

molekulu 2 optimal fəza quruluşu tipi yarada bilər: e və f. Şəkil 1-də Lys-Gly molekulunun atom hesablama modeli və 

fırlanma bucaqları göstərilmişdir. 

 

Cədvəl 1. Lys-Gly molekulunun e və f şeypinə aid olan optimal konformasiyalarının qarşılıqlı təsir    

qüvvələrinin enerji payları. 

S.S Konformasiya  Şeyp 

Müxtəlif qarşılıqlı təsirlər və nisbi enerji qiymətləri 

E

qv

 

E

el

 

E

tor

 

E

üm

 

E

nisbi

 

1 B

23222

B 

e  -6,39 5,34 2,06 1,01 0 

2 R

22222

P 

e  -5,52 6,32 0,55 1,35 

0,34 

3 R

23222

L 

e  -5,79 5,56 1,61 1,37 

0,36 

4 R

22222

L 

e  -5,41 6,39 0,47 1,45 

0,44 

5 R

22222

B 

f  -5,07 6,57 0,54 2,04 

1,03 

6 B

22222

P 

f  -4,96 6,49 0,62 2,15 

1,14 

7 R

22222

R 

f  -5,01 6,65 0,49 2,19 

1,18 

8 B

22222

L 

f  -4,92 6,53 0,62 2,23 

1,22 

 

Quruluş  məsələlərin həlli zamanı N.M.Qocayev və  İ.S.Maksumov tərəfindən tərtib edilmiş universal proqram və 

alqoritm bütün tələbləri tamamilə nəzərə alır  [3,4].Enerjinin minimumlaşması birinci tərtib törəmələrə görə qradient üsulu 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

19 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

ilə aparılır. İkiüzlü bucaqların hesablanması İUPAC–İUB nomenklaturasına əsasən aparılmışdır [5]. Hesablamalar  vasitəsi 

ilə molekulun mövcud olan parametrlərini stabilləşdirən Van-der-Vaals, elektrostatik, torsion qarşılıqlı təsir qüvvələrinin, 

əmələ gələn hidrogen rabitələrinin enerji paylarını müəyyən etmək mümkün olmuşdur. Dipeptidin fəza quruluşu 2 şeyp ilə 

təsvir olunduğuna baxmayaraq, hesablanmış konformasiyaların enerji differensasiyası müşahidə olunur. Müəyyən edildi ki, 

e seypinə aid olan konformasiyalar f seypinin konformasiyalarından enerji cəhətdən daha əlverislidir. Cədvəl 2-də isə 

dipeptidin qalıqlar arası qarşılıqlı  təsir qüvvələrin enerji payları verilmişdir. Buradan aydın görmək olur, tam bükülü e 

şeypinə aid olan B

23222

B konformasiyada Lys və Gly qalıqları arasında ən əlverişli qarşılıqlı təsir əmələ gəlir və onun enerji 

payı -5,93 kkal/mol təşkil edir. Qeyd etmək lazımdır ki, R

22222

P konformasiyada Gly və Gly qalıqları arasındakı qarşılıqlı 

təsir fərqlidir və -0,23 kkal/mol təşkil edir. Cədvəl 2-dən göründüyü kimi B

23222

B və R

22222

P konformasiyalarda başqa qalan 

şeyplərin optimal konformasiyalarından frqli olaraq effektiv qaləqlararası qarşılıqlı  təsirlər  əmələ  gəlir. Bu onunla izah 

olunur ki, dipeptidin konformasiya enerjisi amin turşularının  əsas zəncirlərinin formasına, həmçinin yan zəncirlərinin 

vəziyyətlərinə qarşı çox həssasdır. Müqaisə üçün hər  şeypin amin turşusunun konformasiyalarının  ən aşağı enerjili 

nümayəndələrinin nisbi enerjilərinə nəzər salaq: e-şeyp - BB (1.01 kkal/mol), f-şeyp - RB (2.04 kkal/mol) 

 

Cədvəl 2. Lys-Gly molekulunun optimal konformasiyalarında qalıqlar 

daxili vəqalıqlararası qarşılıqlı təsir qüvvələrin enerji payları. 

e 

Konformasiya 

 LYS  

 GLY  

Aminturşusu qalığı 

B

23222

B 5,07 

-5,93 

 LYS  

R

22222

P 3,8 

-2,7 

 

-0,19 

 GLY  

-0,23 

 

 

 

 

 

f 

Konformasiya 

 LYS  

 GLY  

Aminturşusu qalığı 

R

22222

B 3,71 

-1,95 

 LYS  

B

22222

P 3,49 

-1,72 

 

-0,26 

 GLY  

-0,24 

 

Onu da qeyd edək ki, dipeptidin ən dayanaqlı üç konformasiyası  məhz  e  şeypə aiddirlər: B

23222

B (0.0 kkal/mol), 

R

22222

P (0.3 kkal/mol) və R

23222

L (0.4 kkal/mol).  

Göründüyü kimi, konformasiyaların qeyri-valent qarşılıqlı təsir enerjisin payı orta hesabla -5 kkal/mol təşkil edir.  

Beləliklə, hesablama nəticəsində Lys–Gly dipeptidinin məhdud sayda ən optimal konformasiya vəziyyətləri aşkar 

olunmuş və bu konformasiyaları stabilləşdirən quvvələrin təbiəti və enerji payları müəyyən olunmuşdur. 

 

ƏDƏBİYYAT 

1.  Gudasheva T.A., Zaitseva N.I., Pharmaceutical Chemistry Journal (2005), 39, 5, 6-11 

2.  Е.М.Попов, В.Г.Дашевский, Г.М. Липкинд, С.Ф. Архипова,Молек. биолог. 1968, т.2 стр. 612-620. 

3.  Н.М Годжаев., И.С.Максумов Уч.Записки АГУ,серияфиз-мат. Наук,1979, №5,стр.157- 162. 

4.  И.С.Максумов, Л.И.Исмаилова, Н.М Годжаев, Журнал Структурной Химии,1983,т.24, №4,стр.147-148. 

5.  IUPAC-IUB, Biochem. J. (1971) 121,577-585. 

 

 

γ-ŞÜALANMANIN LAYLI GaS MONOKRİSTALLARINDA SƏTH 

VƏ SƏTHYANI  PROSESLƏRƏ TƏSİRİ 

Fərqan ƏSƏDOV 

Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Radiasiya Problemləri İnistitutu 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

Bridijmen üsulu ilə alınmış p-tip keçiriciliyə malik GaS monokristalına otaq temperaturunda foto keçiriciliyin 

şüalanma dozasından asılı olaraq xassəsinin dəyişməsinin tədqiqi müxtəlif  yarımkeçirici  əsaslı cihazların istehsalı 

baxımından mühüm əhəmiyyət kəsb edir,  O cümlədən γ- şüalanmanın  təsiri ilə GaS monokristalının parametrlərinin təyini  

səth halları, onların energetik paylanması yarımkeçiricilərin xassələrinə  təsir edən mühüm elmi əhəmiyyət kəsb edən nəzri-

təcrübi işdir.  

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

20 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

Məlumdur ki, səth halları, onların energetik paylanması yarımkeçiricilərin xassələrinə  təsir edən mühüm  amillərindən 

biridir.  GaS laylı yarımkeçiricisi fiziki parametrlərinə  görə mühüm perespektiv tətbiqi gözlənilən A111BVI birləşmələrdən 

sayılır. Buna baxmayaraq hələ  də GaS laylı yarımkeçiricisinə müxtəlif , o cümlədən  γ ionlaşdırıcı  şüaların təsiri sistemli 

tədqiq olunmamışdır. Bu baxımdan GaS laylı yarımkeçiricisinin göstərilən istiqamətdə tədqiqi mühüm elmi əhəmiyyət kəsb 

edir və perespektivdə bu yarımkeçiricinin  γ-  şüalanmanın  təsiri ilə parametrlərinin idarə olunması  tədqiqinə ehtiyac 

duyulur.  

Son dövrlərdə  elm və texnikanın müxtəlif  sahələrində tətbiq edilən yarımkeçirci cihazların yaradılmasına təlabatın 

artması ilə  əlaqədar yeni keyfiyyətli yüksək temperatur və radiasiya şəraitində  işləyə bilən yarımkeçirici kristalların 

alınması onların hər tərəfli tədqiqi elm və texnika qarşısında duran ən aktual məsələlərdəndir. Yarımkeçirici materiallarda 

müşahidə edilən yeni fiziki xassələr və onların variasiya hesabına geniş temperatur , işıqlanma ionlaşdırıcı  şüalarla idarə 

edilməsi A3B6 birləşməli yarımkeçiricilər arasında xüsusi yer tutur. Bu tip birləşməli yarımkeçiricilər arasında xüsusi yer 

tutur. Bu tip birləşməli yarımkeçiricilər  əsasında hazırlanmış tunel diodları ,elektrolyuminesensiyalı  ışıq mənbələri , 

fotoqəbuledicilər texnikanın müxtəlif sahələrində geniş  tətbiq olunur. Bu tip birləşmələrin laylı  və  zəncirvari  quruluşa  

malik olmaları , onların elektron , qamma və rentgen şüalarına həssaslığını  artırmışdır.    A3B6 birləşməli yarımkeçirici 

materiallar optoelektron cihazların, elementar hissəcik dedektorlarının hazırlanmasında maraqlı materiallardandır. Belə 

materiallara marağın böyük olması onların yüksək fotohəssaslığa malik olmasıdır. Laylı yarımkeçiricilər  əsasında 

optoelektron cihazların hazırlanıb tətbiq edilməsinə baxmayaraq. Həmin yarımkeçiricilərdə defektlərin konsentrasiyasının 

idarə edilməsi aktual olaraq qalmaqdadır. Yarımkeçiricilərdə defektlərin konsentrasiyasının idarə edilməsi metodlarından 

biridə radiasiya aşqarlama metodudur, hansı  ki, müxtəlif növ şüalanmaların təsiri altında yarımkeçiricinin xassələrini lazımi 

istiqamətdə dəyişdirmək mümkündür. Müasir yarımkeçiricilər texnalogiyası dərinliyə görə aşqarlanmış strukturlar əsasında 

hazırlanır, hansı ki,yarımkeçiricilərin xassələrini lazım olan dərinliyə qədər effektiv dəyişməsini təmin edir. Bu məqsədlə 

qaçış  məsafəsi kiçik olan yüklü zərrəçiklərdən istifadə olunması  məqsədə uyğundur.  A3B6 birləşməli yarımkeçiricilərdə 

radiasiya defektlərinin yaranması geniş öyrənilmişdır, ancaq birləşmə atomlarının dərinliyə görə paylanması  və onların 

radiasiya defektlərinin yaranmasına təsiri çox az tədqiq edilmişdir. Məlumdur ki, atomların qeyri bərabər paylanması 

cihazların fiziki xassələrinə güclü təsir edir. Odur ki, komponentlərin kristalda dərinliyə görə paylanmasının tədqiqi böyük 

maraq kəsb edir vəolduqcaaktualdır.  

İşdə  140keV enerjili H2+ ionu ilə 1.1015 və 5.1015cm-2 dozada implantasiya olunmuş GaS monokristalının struktur 

dəyişməsini Rezerford əks səpilmə  və  işığın kombinasiyalı  səpilmə metodu ilə  tədqiq edilmişdir. Tədqiq olunan GaS 

monokristalı Bridjmen metodu ilı alınmış və xüsusi müqavimıti ~109omsm tərtibində olmuşdur. Tədqiqatda (RƏS)  enerjisi 

1,5MeV olan He+1 ionundan istifadə edilmişdir. H2+ ionunu implantasiya etmək üçün Van-de-Qraafa (tip AN2500)   

sürətləndiricisindən istifadə edilmişdir.İmplantasiya dozası 1.1015 -   1.1015  sm-2 tərtibində olmuşdur. Eksperimentin 

nəticələri SİMNRA 6,05 proqramı əsasında hesablanmışdır. GaSmonokristalında enerjisi 1,5MeV olan  He+1 –in rezerfor 

əks səpilməsinin energetik spektri verilmişdir. Spektrdən göründüyü eksperimentin nəticələri modelləşdirmədən alınan 

nəticələrlə üst-üstə düşür. Səpilmə spektrinin nəticələrindən görünür ki,  kristalın tərkibi üç  elemtdən ibarətdir: Ga, S, O.   

Eksperimentdənmüəyyən edilmişdir ki, səthdən 40nm dərinlikdə Ga(38%), S(42%) və O(20%)  təşkil edir. 40nm-dən yuxarı 

dərinlikdə isə qallium və kükürdün miqdarı bərabərdir(50%, 50%), 

GaS monokristalının göstərilən istiqamətdə tədqiqi mühüm elmi əhəmiyyət kəsb edən sahələrdən biridir. Məlumdur ki, 

səth halları, onların energetik paylanması yarımkeçiricilərin xassələrinə  təsir edən mühüm  amillərindən biridir.  GaS laylı 

yarımkeçiricisi və bir çox parametrlərinə  görə mühüm perspektiv tətbiqi gözlənilən A111BVI birləşmələrdən sayılır. Buna 

görə  də yarımkeçirici  əsaslı müxtəlif yönlü cihazqayırma sənayesində GaS laylı kristalının kinetik səth və  səth yanı 

parametrlərinin idarə olunması müasir dövrün aktual problemlərindən biri hesab edilir. Nəzəri və praktiki baxımdan GaS 

laylı yarımkeçiricisinin Perspektivdə bu yarımkeçiricinin   şüalanmasnın  təsiri ilə parametrlərinin idarə olunmasına ehtiyac 

duyulur. 

Beləliklə qeyd etmək lazımdır ki, yarımkeçirici kristallar qloballaşan dünyada böyük praktiki əhəmiyyət kəsb edir. 

Belə ki laylı yarımkeçiricilərə elektronikada , xüsusilə optoelektronikada maraq getdikcə artır. Bu materiallarda optik 

çevirici və informasiyanın saxlanma cihazlarının hazırlanmasında istifadə olunur. Bunun səbəbi həmin maddələrin yüksək 

difraksiya effektivliyinə , İnformasiyanın yazılmasının mümkünlüyünün olmasıdır.Laylı yarımkeçiricilər xüsusi kimyəvi 

texnalogiya tələb etmir. GaS laylı yarımkeçiricisi fiziki parametrlərinə  görə mühüm perespektiv tətbiqi gözlənilən 

A111BVI birləşmələrdən sayılır.