Gənc təDQİqatçI, 2020, VI cild, №1

Рис. 4. 
ВАХ структур TlGaTe
2
при температурах Т, К; 1-2-90, 3-4-300 (2-3- 250 Мрад) 

---

GƏNC TƏDQİQATÇI, 2020, VI cild, №1 
8 
В облученных γ квантами кристаллах ТlGaTe
2 
показано на Рис. 3.(кривая 2) зависи-
мость проводимости от температуры, как видно, как и в не облученных кристаллах она со-
стоит из трех участков с различными наклонами. Энергия активаций примесных уровней в 
облученных гамма квантами монокристаллах TlGaTe
2
, определены по этим наклонам. Энер-
гия активации локальных уровней при дозах облучении 250 Мрад соответственно равны: 
Е
1
=0,047 эВ, Е
2
=0,053 эВ, Е
3
=0,059 эВ. Из анализа результатов следует что, при облучении 
кристаллах новые дефектные уровни не образуются, однако взаимодействие с собственными 
дефектами сопровождается увеличением глубины залегания локальных состояний. При этом 
одновременно уменьшается количества равновесных свободных носителей тока, что приво-
дить к уменьшению тока в омическом участке ВАХ. 
Известно что, если в ВАХ 

4

значение напряжения перехода от омического участка к 
нелинейному участку не зависит от температуры, то в этих кристаллах имеет место слабая 
компенсация. Однако, анализ для TIGaTe
2
данных показывает, что напряжение перехода от 
омической проводимости к режиме ТОПЗ с уменьшением температуры сдвигается в область 
больших напряжений, что свидетельствует наличием сильной компенсации в кристаллах TI-
GaTe
2
. Облучение γ -квантами приводить к образованию радиационных дефектов приводя-
щийся к усилению компенсации и частичному залечиванию структурных дефектов при ма-
лых дозах облучения. 
ЛИТЕРАТУРА 
 
1.
Okazaki. K., Tanaka K., Matsuno J. et al. Angle-resolved photoemission and band structure 
results for linear chain TlGaTe
2
// Physical Review B, 2001, v. 64, 045210, p.1-5. 
2.
Ламперт М.А. Инжекционные токи в твердых телах: М.: Мир, 1973, 385 с. 
3.
Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Асадуллаева С.Г., Эйюбов Г.Ю. Волть-амперные харак-
теристики монокристаллов соединения MnGa
2
Sе
4
// ФТП, 2012, т. 46, № 6, с. 721-724. 
4.
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn
2
S
4
и MnGa
2
S
4
// ФТП, 2004, т. 38, в. 2, с. 164-165. 
5. Мадатов Р.С., Наджафов А.И., Шекили Ш.П. и др. Влияние гамма излучения на
электропроводность слоистого GaS // Неорганические материалы, 2008, т. 44, в. 2, с. 140-143.