Gənc təDQİqatçI, 2020, VI cild, №1

Рис. 3. 
Температурная зависимость электропроводности для монокристалла TlGaTe
2
(1-исход, 2-250 Мрад) 

---

FİZİKA-RİYAZİYYAT VƏ TEXNİKA ELMLƏRİ
 
7 
Для того чтобы выяснить механизм прохождения тока в области нелинейности, были ис-
следованы ВАХ с различными межэлектродными расстояниями L. Установлено, что для иссле-
дованных образцов выполняются зависимости I
j

области резкого роста тока свидетельству-
ет о том, что причиной нелинейности ВАХ является осуществление режиме тока ограниченный 
пространственным зарядом (ТОПЗ).
Исследованные кристаллы TlGaTe
2 
также подвергнуты γ- облучению. Результаты иссле-
дований температурной зависимости электропроводности σ(Т) и вольтамперные характеристики 
(ВАХ) показывают, что в TlGaTe
2 
подвергнуты γ- облучению 250 Мрад, в обеих геометриях 
эксперимента ( σ

и σ

цепочкам ) происходит ощутимые изменения. 
Из литературы известно, что образования радиационных дефектов в слоистых полупро-
водниках типа А
3
В
3
С
6 
() .В этих кристаллах взаимодействуют подвижные радиационные дефек-
ты с исходными собственными дефектами находящихся внутри слоя и между слоями.
Измерения электропроводности σ(Т) TlGaTe
2
проводились в области температур 90-300 К 
четырехзондовым методом в двух направлениях – параллельном σ

и перпендикулярном σ

тет-
рагональной оси «
с
» кристалла. После измерений исходных образцов σ

(Т) и σ

(Т) они подвер-
гались воздействию γ- облучению от стандартного источника излучения Со
60
. Доза облучения 
накапливалась постепенно в каждом из исследованных образцов посредством последовательных 
экспозиций γ- воздействия до величины 250 Мрад. При этом измерения σ

(Т) и σ

(Т) проводи-
лись после каждой экспозиций облучения 

5

. 
На рис. 4. представлена ВАХ кристалла – ТlGaTe
2
в исходном ( кривые 1,4 ) и после 
обручения 250 Мрад γ квантами (кривые 2,3 ) при различных температурах. Как видно из 
рис. 4 как в не облученных кристаллах, так и облученных гамма квантами кристаллах на 
ВАХ проявляются два участка: омический (I α U) и область более резкого роста ( I α U
n
, n>1). 
Однако, в облученных кристаллах при одинаковом значении напряжения U значения тока 
несколько раз уменьшается, а общая форма ВАХ сохраняются. Напряжения перехода из ли-
нейного к области резкого роста изменяется незначительно.