Gənc təDQİqatçI, 2020, VI cild, №1

Рис. 1. 
ВАХ кристалла TlGaTe
2
вдоль тетрагональной оси «
с
» при температурах;
1-90К, 2-120К, 3-200К и 4-300К.
 

---

GƏNC TƏDQİQATÇI, 2020, VI cild, №1 
6 
 
Рис. 2. 
ВАХ кристалла TlGaTe
2
перпендикулярно тетрагональной оси «с»
при температурах ; 1-90К, 2-120К, 3-200К,4--300К 
Как видно из рисунков на ВАХ выявляются два участка

2,3

: при малых напряжениях 
омических участок (I α U) и область более резкого роста тока при высоких напряжениях (I α U
n
, 
n > 1). Линейный участок соответствует напряженности электрического поля 20В/см и с ростом 
температуры участок значение тока расширяется, а напряжение начало нарушение линейного 
участка увеличивается. Квадратичная область, наблюдается в интервале полей 20-60 В/см. При 
этом с ростом температуры напряжение перехода в квадратичную область смещается к большим 
значениям. Это обусловлено увеличением концентрации равновесных носителей тока и расши-
рение области выполнения закона Ома. С ростом температуры, пороговое напряжение, с кото-
рого начинается квадратичная область, перемещается в сторону низких значений напряжений, а 
численное значения 
п 
уменьшается. Это показывает, что резкое возрастание тока обусловлено в 
основном ионизацией локальных уровней в электрическом поле. 
Исследование температурной зависимости электропроводности показано на Рис. 3. По-
строенная зависимость ln σ ~ (10
3
/Т) при (напряженности электрического поля 40в/см), соот-
ветствующей омической области ВАХ, как видно состоит из трех прямых с различными 
наклонами. Энергии активации примесных уровней в монокристаллах TIGaTe
2 
, определен-
ные по этим наклонам, соответствуют значениям Е
1
=0,018эВ, Е
2
=0,037эВ, Е
3
=0,043.