Laboratoriya iŞİ №1



Yüklə 1,71 Mb.
səhifə3/3
tarix30.04.2023
ölçüsü1,71 Mb.
#105265
1   2   3
Laboratoriya işi № 1

1 Közərmə lampası




E10 12V/3Vt

505 08

1 Rezistor 1 k /2Vt

577 44

1 Ge diod AA 118

578 50

1 Si diod 1 N4007

578 51

1 Lampa tutacağı E10, top

579 06

Sayğaclar:




1 Multimetr DMM120

531 172

1 Multimetr

531 57

METRAport 3А

575 212

1 İkikanallı osilloskop 400

521 485

Enerji təchizatı bölməsi:




1 AC/DC Enerji təchizatı




Aksesuarlar:




1 Qoşulma lövhəsi

726 50

1 Ekranlı kabel BNC/4mm

575 24

1 Körpü sıxacları dəsti 19 mm

50148

1 Ölçmə aparatları dəsti

501 532



Tapşırıq 1.1: Diodun dövrədə açar rejimində qoşulması





Şəkil 2.1.1. Diodun dövrəyə qoşulması


İşin yerinə yetirilməsi qaydası

Dövrəni şəkil 2.1.1-də göstərildiyi kimi yığın və girişə işçi gərginliyi tətbiq edin. Alınan nəticəni qeyd edin.


Lampa yanır.
İşçi gərginliyini söndürün. Diodu əks istiqamətdə (katod -a qədər) dəyişdirin və gərginliyi yenidən tətbiq edin.
Lampa yanmır.
Lampanı yandırmaq üçün lazım olan cərəyanla dioddakı gərginlik mənbəyinin qütbü arasında hansı əlaqə var?
Lampanı yandırmaq üçün tələb olunan cərəyan yalnız diod düz istiqamətdə qoşulduqda keçə bilər.

Tapşırıq 1.2. Dövrədə diodun statik xarakteristikasınn təyin olunması.







Şəkil 2.2.1. Diodun statik xarakteristikasınn təyini.


İşin yerinə yetirilməsi qaydası


Şəkil 1.2.3. Cərəyan-gərginlik xarakteristikaları

Germanium və silisium diodların xarakterik əyrilərini qeyd edin və hər bir əyrinin, təxminən, düz xətt hissəsinə tangenslər çəkmək və bu tangenslərin gərginlik oxunu kəsdiyi gərginlikləri oxumaqla diodların hədd gərginliklərini təyin edin.


Ge diod
Si diod
zonasındakı iki xüsusiyyəti müqayisə edin və şərh verin.

Tapşırıq 1.3.1. Diodun dinamik xarakteristikasınn təyin olunması.







Şəkil 1.3.1. Dinamik xarakteristikasınn təyini sxemi.
İşin yerinə yetirilməsi qaydası

Dövrəni şəkil 2.3.1-də göstərildiyi kimi yığın və alternativ sinusoidal gərginlik tətbiq edin .


Osilloskopdakı parametrlər:
X- əyilmə: (DC)
Y- əyilmə: (DC) (tərs çevrilmiş)
Silisium və germanium diodlarının xüsusiyyətlərini qeyd etmək üçün osilloskopdan istifadə edin və bunları statik olaraq qeydə alınan xüsusiyyətlərlə müqayisə edin. Nəticələrinizi qeyd edin.
Dinamik olaraq qeydə alınan xüsusiyyətlər statik olaraq qeydə alınan xüsusiyyətlərlə tam uyğundur.

Tapşırıq 1.4: Diodların diferensial müqaviməti.




İşin yerinə yetirilməsi qaydası

Germanium diodunun xarakteristikasını şəkil 1.4.1-ə və silisium diodunun xarakteristikasını şəkil 1.4.2-yə köçürün.


Diferensial müqavimət, düzbucaqlı üçbucaq üçün hipotenuz kimi nöqtədə ( ) bir tangensdən istifadə etməklə müəyyən edilir. Üçbucağın üfüqi kateti (tərəfi) gərginliyin dəyişməsini , şaquli kateti isə cərəyan dəyişməsini göstərir. Diferensial müqavimət –lə işarə olunur.



İki xüsusiyyətin diferensial müqavimətlərini müqayisə edin və nəticələrinizi qeyd edin.


HESABATLAR

Tapşırıq 1.1: Diodun dövrədə açar rejimində qoşulması





1.Diodu düz istiqamətdə dövrəyə qoşan zaman cərəyan keçir və lampa yanır.

2.Diodu əks istiqamətdə dövrəyə qoşan zaman cərəyan keçmir və lampa yanmır.


Lampanı yandırmaq üçün tələb olunan cərəyan yalnız diod düz istiqamətdə qoşulduqda keçə bilər.
Tapşırıq 2.2. Dövrədə diodun statik xarakteristikasınn təyin olunması.




0.20

0.18

0.00

0.25

0.35

0.00

0.30

0.48

0.00

0.35

0.75

0.00

0.40

1.13

0.02

0.50

1.98

0.13

0.55

2.30

0.34

0.60

3.02

1.48

0.65

3.53

4.05

0.70

4.33

11.03

0.72

4.40

16.70



Nəticə: Silisium diodun xarakteristikası hədd gərginliyindən yuxarı olan germanium diodundan daha yüksəkdir.
Tapşırıq 1.3.1. Diodun dinamik xarakteristikasınn təyin olunması.



Dinamik olaraq qeydə alınan xüsusiyyətlər statik olaraq qeydə alınan xüsusiyyətlərlə tam uyğundur.


Tapşırıq 1.4: Diodların diferensial müqaviməti.

Şəkil 1.4.1. Germanium diodunun xarakteristikası

Şəkil 1.4.2. Silisium diodunun xarakteristikası

a) Germanium diod üçün: (şəkil 2.4.1)


P1 (0.3 V, f(0.3 V));
P2 (0.5 V, f(0.5 V));
P3 (0.65 V, f(0.65 V));

b) Silisium diod üçün: (şəkil 2.4.2)


P1 (0.5 V, f(0.5 V));
P2 (0.65 V, f(0.65 V));
Silisium diodun diferensial müqaviməti parçalanma bölgəsində germanium diodundan çox kiçikdir.
Yüklə 1,71 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©www.azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin