Йарымкечириъи диодларын тяснифаты

Quraşdırılmış kanallı MOSFET.

Fiziki qurluşuna görə quraşdırılmış kanallı MOSFET induktivləşmiş kanallıdan yalnız onunla fərqlənir ki, mənsəb və məbə arasında keçirici kanal var. Bu tip MOSFET-i işə qoşmaq üçün əvvəlcə, U_GS=0 şərtində (yəni bağlayıcı elektroda heç nə qoşulmur) mənbə-mənsəb elektrodlarına istənilən polyarlıqlı gərginlik qoşaq- U_DS . Kanal birbaşa mənbə mənsəb arasına qoşulduğu üçün, ondan cərəyan axmağa başlayacaq (elektronlar seli). Sonra isə bağlayıca polyarlığı mənfi olan U_GS gərginliyini tətbiq etsək, kanalda eninə elektrik sahəsi yaranacaq. Bu sahə elektronları Lövhəciyə doğru itələməyə başlayacaq. Kanalda elektronların sayı azaldığı üçün onun müqaviməti azalacaq və axan I_DS cərəyanı azalmağa başlayacaq. Mənbəyə nəzərən, mənfi polyarlıqlı U_GS gərginliyi artdıqca I_DS də azalır və MOSFET üçün kasadlaşmış hal yaranır. İndi isə U_GS gərginliyinin polyarlığını mənbəyə nəzərən, mənfidən müsbətə dəyişsək, Bağlayıcı elektrod mənbə və mənsəb tərəflərinin, eləcə də lövhəciyə yığışmış elektronları cəzb edərək kanalın keçitriciliyini yaxşılaşdıracaq və I_DS də artacaq. Beləliklə də MOSFET üçün zənginləşmiş hal yaranır. Beləliklə, MOSFET iki iş rejiminə malikdir: kasadlaşma və zənginləşmə iş rejimləri.

İGBT tranzistorları
Nəzərdən keçirilən tranzistoru çox vaxt qısaca İGBT (İGBT - ingilis dilində İnsulated Gate Bipolar Transistor) və ya rəzəsi təcrid olunmuş bibolyar tranzistor (RTBT) adlandırırlar.
RTBT tranzistoru hibrid yarımkeçirici cihazdır. Bu tranzistorda elektrik cərəyanının idarə olunmasının iki üsulu eyni zamanda istifadə olunur, birincisi sahə tranzistorlarına xas olan - elektrik sahəsi ilə idarəetmə, ikincisi isə bipolyar tranzistorlara xas olan - elektrik yükdaşıyıcılarının injeksiyasının idarə olunması üsuludur.
Bu tranzistorlar (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor) BT və ST texnologiyalarının birləşməsindən yaranmışdır: G bağlayıcısı izolə olunmuş , emitter və kollektor kimi elektrodlara malikdir. Məqsəd hər iki növ tranzistorlarının müsbət xüsusiyyətləriniun özündə cəmləşdirən daha mükəmməl tranzistor növü yaratmaqdır. İGBT tranzistorları, həqiqətən də ST-nin, çıxış xarakteristikası isə BT-nin xarakteristikasıdır.