Йарымкечириъи диодларын тяснифаты

Bağlayıcısı izolə edilmiş sahə tranzistorları - MOSFET

Bu tranzistorlar da FET ailəsinə mənsubdurlar. Lakin MOSFET –də G-bağlayıcı elektrodu ilə keçirici P(N)-kanal arasında elektrik izolyasiyası olduğu üçün giriş müqaviməti dəfələrlə yüksəkdir.

İnduktivləşmiş N-kanallı MOSFET-in işləməsi.

D mənsəbi ilə S mənbəyi arasında gərginlyin polyarlığı istənilən ola bilər. Belə ki, N zonaları arasında elektronların keçidini buraxmayan P-zona yerləşir. Əgər G-bağlayıcı elektroduna S elektroduna nəzərən müsbət potensial verilərsə - U_GS>0, yaranan elektrik sahəsinin təsiri altında deşiklər P-zonasından Lövhəciyə doğru itələnir. Bu minvalla, G elektrodu altında deşiklərin sıxlığı azaldıqca, müsbət potensialın cəzbetməsi ilə oraya yığışan elektronların sıxlığı artır. U_GS gərginliyinin elə qiyməti var ki, hansına ki, astana qiyməti deyilir, G elektrodu altında deşiklərin sıxlığı oraya yığışan elektronların sıxlığına bərabərləşir. Mənbə ilə mənsəb arasında nazik N-tipli keçirici kanal yaranır və bu kanaldan I_DS cərəyanı axır. Aydındır ki, U_GS gərginliyinin qiyməti artdıqca N-tipli keçirici kanalın da eni artacaq və deməli daha çox I_DS cərəyanı axacaq. Belə rejim MOSFET-in zənginləşmə rejimi adlnır.

İnduktivləşmiş N-kanallı MOSFET-in VAX-ı

İnduktivləşmiş N-kanallı MOSFET-inVAX-ı idarəedici PN-keçidli FET VAX-na çox bənzəyir. İki əsas xarakteristikaya baxılır: U_GS >0 gərginliyinin müxtəlif qiymətlərində çıxış xarakteristikaları: I_DS=f(U_DS) və giriş-çıxış xarakteristikası: I_DS =f(U_GS).
Çıxış xarakteristikasının doyma sahəsiadlanan hissəsində yükdaşıyıcıların yığışması baş verir, bu sahənin bir başqa adı da Omik sahədir. Aktivlik sahəsində artıq yükdaşıyıcılarla doyma halıdır və I_DS- mənbə-mənsəb cərəyanın artım sürəti çox cüzidir. Yəni N-kanalı maksimum enliləşmişdir, artıq çıxış cərəyanını praktiki olaraq sabit götürmək olar. Lakin, U_DS –mənsəb gərginliyinin elə bir qiyməti var ki (bu gərginlik PN-keçidinin deşilməsi gərginliyidir və MOSFET üçün sıradan çıxma qarşısında bir astana gərginliyi kimi də qəbul edilə bilər), bu qiymətdən sonrakı artımlarda yarımkeçirici cihaz deşilir, yarımkeçirici kimi sıradan çıxır vıə adi omik keçiriciyə çevrilir.