Samarqand davlat universiteti fizika fakulteti qattiq jismlar kafedrasi

Ishlash prinsipi. Zatvorning p-n-o‘tishga teskari kuchlanish beriladi va kambag‘allashgan qatlam chuqurligi o‘zgaradi. Teskari kuchlanish qanchalik katta bo‘lsa, kambag‘allashgan qatlam shunchalik chuqur bo‘ladi. Mos ravishda kanal qalinligi w shunchalik kichik bo‘ladi. Shunday qilib, zatvordagi teskari kuchlanishni o‘zgartirgan holda ko‘ndalang yuzasi va bunga mos ravishda kanal qarshiligini o‘zgartirsa bo‘ladi. Stokda kuchlanish mavjud bo‘lganda kanaldagi tok o‘zgaradi, ya’ni tranzistorning chiqish toki. Quvvatning kuchaytirilishi kirish tokining qiymati bilan ta’minlanadi. Maydonli tranzistorda kirish toki zatvor p-n-o‘tishining teskari toki hisoblanadi. Stokdagi kuchlanish nolga teng bo‘lgandagi kanalning qalinligi va qarshiligini zatvordagi boshqarish kuchlanishiga bog‘liqligini aniqlaymiz. Kanalning qalinligini 1 - rasmga muofiq quyidagicha yozishimiz mumkin:
w  a  l ,
bu yerda a – n-qatlam tubidan o‘tishning metallurgik chegarasigacha bo‘lgan masofa. Muvozanatli potensial to‘siq balandligini hisobga olmagan holda kanal qalinligini zatvordagi kuchlanishga bog‘liqligini olmiz:
bu yerda UZI deyilganda zatvordagi kuchlanish moduli tushuniladi. w  0 shartda uzish kuchlanishini topish mumkin. Bu kuchlanishda kambag‘allashgan qatlam kanalni to‘laligicha yopadi va kanalda tokning oqishi tugaydi:

UZUqN/20a21.2

Misol uchun N=51015 sm-3 va a=2 mkm bo‘lsa, UZU=12,5 V bo‘ladi. Muvozanatdagi to‘siqning balandligini hisobga olganda uzish kuchlanishi bir muncha kichik bo‘ladi Ko‘rinib turganimizdek, ishchi qatlam qalinligi va kirishmalarning konsentrasiyasi yetarli darajada kichik bo‘lishi kerak. Aks holda uzish kuchlanishi shunchalik katta bo‘ladiki, tokni to‘liq boshqarishning (nol qiymatdan boshlab) imkoni bo‘lmay qoladi

2. Madon transistor haqida umumi ma’lumot
Maydonli tranzistorlarning qarshiligi ko’ndalang elektr maydoni bilan boshqariladi. Elektr o’tkazuvchanlikda faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) ishtirok etadi.Ikki xil maydonli maydonli tranzistor mavjud: boshqariladigan p-n – o’tishli va metall – dielektrik – yarim o’tkazgich (MDP - tranzistor) strukturali tranzistorlar. Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o’tkazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanligikni o’zgartirish hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.
Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo’ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo’lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi.
Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o’tkazuvchanligiga ko’ra ikki turi mavjud: r–n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o’tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo’lgan zatvori izolyasiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham ataladilar.