2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Sxemotexnika. Darslik. T.: Tafakkur bo’stoni, 2013. 447 b.
3. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 396 b.
Qiyinlik darajasi – 3
ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.
integral –injektsion mantiq
tranzistor – tranzistorli mantiq
emitterlari bog’langan mantiq
murakkab tranzistor – tranzistorli mantiq
№ 146.
Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Sxemotexnika. Darslik. T.: Tafakkur bo’stoni, 2013. 447 b.
3. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 396 b.
Qiyinlik darajasi – 2
Statik holatda KMDYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar quvvat iste’mol ……
qilmaydi
qiladi
juda ko`p talab qiladi
ko`p talab qiladi
№ 147.
Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
