185
xususiyatlarini bilgan holda, yarim o’tkazgich materialni tanlab olish
zarurdir. Yarim o’tkazgichning bunday xususiyatlariga ta’sir qiluvchi
ko’rsatkichlaridan biri – man qilingan zonaning kengligi
E
g
ni bilish
kerak.
Ma’lumki, elektron – teshik juftini hosil qilish uchun energiyasi
E
g
ga teng yoki undan katta bo’lgan foton yutilishi kerak, ya’ni:
g
E
h
bunda
E
g
dan kichik bo’lgan energiyali fotonlar valentlik
zonasidan o’tkazuvchanlik zonasiga elektron chiqara olmaydi. Bu
hodisaga qaraganda
E
g
kichik yarim o’tkazgich tanlab olish maqsadga
muvofiq emasdek ko’rinadi.
E
g
kichiklasha
borsa,
fotonning ortiqcha
energiyasi issiqlikka aylanishi natijasida samaradorlik kamaya boradi.
Agar
E
g
katta bo’lgan yarim o’tkazgich tanlab oladigan bo’lsak,
yutilayotgan fotonlarning aktivligi kamaya boradi va yana nurlanish
spektrining bir qismi bekorga sarf qilinadi.
Quyosh batareyasidagi qisqa ulanish tokini
)
(
)Qn
e
-
r)(1
-
e(1
=
f
d
q.u
g
E
j
(7.4)
ko’rinishida yozsak bo’ladi. Bunda
n
f
(E
g
)
– energiyasi
E
g
dan
katta va unga teng bo’lgan birlik vaqtda fotoelementning birlik yuziga
tushayotgan fotonlar sonini ko’rsatadi. Nurning qaytish, yutilish va
rekombinasiya tufayli yo’qolishini
hisobga olmasak,
)
(
en
=
f
q.u
g
E
j
(7.5)
Bundan ko’rinadiki, qisqa ulanish toki energiyasi
E
g
ga teng va
undan katta bo’lgan fotonlar soniga bevosita bog’liq bo’lar ekan.
E
g
ortishi bilan n
f
(E
g
) kamaya boradi, binobarin qisqa ulanish toki ham
kamaya boradi.
Endi salt ishlaganda kuchlanish (foto EYuK) ning
E
g
ga qanday
bog’langanligini ko’rib chiqaylik.
u
q
kT
eV
j
e
j
.
1
s
)
(
j
=
−
−
−
dan
salt
ishlash kuchlanishi
g
V
quyidagi ko’rinishini qabul qiladi.
1
ln
e
kT
=
.
+
s
u
q
j
j
V
(7.6)
Bu yerda
s
j
- to’yinish toki. Yoritilish juda kichik bo’lmasa,
1
.
s
u
q
j
j
- deb olsak bo’ladi, ya’ni
186
s
u
q
j
j
V
.
ln
e
kT
=
(7.7)
Ma’lumki, to’yinish toki
s
j
ni
kT
E
g
e
j
j
−
=
0
s
(7.8)
Ko’rinishida yozsak bo’ladi. 7.7 ni 7.8 ga qo’ysak,
V
uchun
quyidagi formulani olamiz:
0
.
g
ln
e
E
=
j
j
e
kT
V
u
q
+
(7.9)
Bu formuladan ko’rinadiki,
g
E
ortishi natijasida tenglamaning
o’ng tomonidagi birinchi handing ortishi bilan
V
ortib borsa, ikkinchi
handing kamayishi hisobiga
V
kamayib boradi. Demak, oldingi
aytilgan mulohazalar va (7.9) ning tahliliga asosan quyosh
batareyasidan olinadigan quvvat ma’lum
g
E
da maksimumga erishar
ekan.
Shuning uchun ham
g
E
fotoelementning foydali ish
koeffisientiga ta’sir qiluvchi ko’rsatkichlardan biri bo’lib hisoblanadi.
Bu masala Loferskiy tomonidan mukammal tahlil qilinib, alohida
ko’rib chiqilgan. Bu ishda Quyosh energiyasi spektrining taqsimotidan
foydalaniladi. Bundan tashqari, atmosferadagi yorug’likning yutilishi
ham hisobga olinadi. Yer sirtining birlik yuziga tushayotgan Quyosh
radiasiyasining aktivligi va spektral tarkibi uning atmosferadagi
chang, suv bug’lari, gaz molekulalari va hokazolarda yutilishiga
bog’liq bo’ladi.
Atmosfera
asosan
ul’trabinafsha
spektrini
kamaytiradi.
Atmosferadagi bu ta’sirni
m
va
lar orqali xarakterlash mumkin.
Bunda
m
yorug’likning optik yo’lini
xarakterlab,
cos
1
=
m
formula
orqali aniqlanadi, bu yerda
- fotoelement bilan zenith va quyoshni
tutashtiruvchi to’g’ri chiziqlar orasidagi burchak,
- armosferadagi
suv bug’larining miqdorini xarakterlaydi. Bu kattaliklarning aniq
qiymatini bilgan holda quyosh radiasiyasining chastotalar bo’yicha
taqsimotini va
shu bilan birga energiyasi
g
E
ga teng va undan katta
bo’lgan fotonlarning to’liq sonini aniqlash mumkin, ya’ni
=
=
=
max
)
(
)
(
h
E
f
g
f
g
n
E
n
(7.10)
187
bunda
f
n
- berilgan chastotali fotonlar soni,
max
- Quyosh
spektridagi maksimal chastota.
Hisoblashlar
natijasi
7.6-
chizmada keltirilgan. Chizmadan
ko’rinadiki, eng yaxshi mos
kelgan
yarim
o’tkazgichlar
5
,
1
1
,
1
−
=
g
E
eV
bo’lgan yarim
o’tkazgichlar bo’lib hisoblanar
ekan.
Agar atmosferaning ta’siri
juda kichik deb ko’rilsa,
P
J
p
,
Ga
,
As
va
Cd
,
Te
lar quyosh
batareyasini
tayyorlash uchun
eng yaxshi yarim o’tkazgichlar
bo’la oladi. Lekin atmosferaning
ta’siri ortishi bilan bularga qaraganda
Si
afzalroq bo’lib qoladi. Rus
olimlaridan
D.N.Nasledov,
V.K.Subashievlarning
nazariy
va
eksperimental ishlari eng yaxshi yarim o’tkazgichli materiallar,
quyosh batareyasini tayyorlash uchun
Si
,
GaAs
, va
CdTe
ekanligini
isbot qiladi. 7.6-chizmada fotoelementning vo’lt-amper xarakteriskasi
berilgan. 7.7-chizmada quyosh batareyasining ko’rinishi berilgan.
Dostları ilə paylaş: