O’zbekiston Respublikasi va komunikatsiyalarni rivijlantirish vazirligi

O’zbekiston Respublikasi va komunikatsiyalarni rivijlantirish vazirligi

Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti

Mustaqil ishi №
Variant - 8
Mavzu: Diodlar
Bajardi: Abduxoliqov Asadulla
(319-21-group)


Diodlar, turlari va ishlatilishi. Bipolyar tranzistorlar. Kuchaygichlar va aktiv qurilmalar.

1. YArimo‘tkazgich diodlar

YArimo‘tkazgich diodlar tuzilishi bo‘yicha uch turga bo‘linadi: “ elektron- kovak” o‘tishi asosida qurilgan diodlar, “metall- yarimo‘tkazgich” o‘tishi asosida qurilgan diodlar va «p-n” o‘tishi bo‘lmagan, lekin o‘tkazuvchanlik zonasi ikkita bo‘lgan birjinsli yarimo‘tkazgichda qurilgan diodlar( 1.1- rasm). YArimo‘tkazgich diodlarning asosiy qismini «p-n” o‘tishda qurilganlari tashkil qilganligi sababli ularning tahlilini ushbu diodlardan boshlaymiz.
Bunday diodlarning tarkibida to‘g‘rilash xossasia ega bo‘lgan bir dona “p-n” o‘tishi va to‘g‘rilash xossasiga ega bo‘lmagan ikki dona omik “ metall- yarimo‘tkazgich” o‘tishi bo‘ladi.
1.1- rasmda yarimo‘tkazgich diodning struktura sxemasi keltirilgan.



1.1- rasm. YArimo‘tkazgich diodning struktura sxemasi.

Ko‘p hollarda «p-n” o‘tishli diodlar simmetrikmas qilinadi, ya’ni sohalardan biridagi kiritma konsentrasiuasi ikkinchisinikiga nisbatan ancha ko‘p olinadi. SHu sababli kuchli legirlangan(pastomli) va diodning emitteri deb ataluvchi sohadan kam legirlangan(yuqoriomli) va diodning bazasi deb ataluvchi sohaga injeksiya qilinayotgan asosiymas zaryad tashuvchilarning miqdori qarama- qarshi yo‘nalishda bo‘lganlilarnikiga nisbatan ancha yuqori bo‘ladi.

Ishlatilgan materialiga qarab yarimo‘tkazgich diodlar germaniy, kremniy va galley arsenid diodlarga, “elektron- kobak” o‘tishini tayyorlash texnologiyasiga qarab eritmali, diffuziyali va bosh., «p-n” o‘tishining o‘lchamiga qarab nuqtaviy va yassi diodlarga sinflash mumkin.
YAssi diodlar deb «p-n” o‘tishning yuzasini aniqlaydigan o‘lchamlari uning kengligiga nisbatan ancha katta bo‘lgan diodlarga aytiladi. Bunday diodlar «p-n” o‘tishlarining yuzalari millimetr kvadratining bir necha qismidan boshlab bir necha o‘n santimetr kvadratgacha borishi mumkin.
YAssi diodlar(1.2- rasm) eritish usuli yoki diffuziya usuli bilan tayyorlanadi.
YAssi diodlar nisbatan katta to‘siq sig‘imiga (o‘nlab pikofaradagacha) ega, shu sababli ularning chegaraviy takrorliklari 10 k’z gacha cheklanadi.
Sanoat toklar (ming amperlargacha) va kuchlanishlarning (ming voltlargacha) keng diapazonida yassi diodlar ishlab chiqaradi, bu esa ularni kam quvvatli qurilmalarda ham, o‘rta va yuqori quvvatli qurilmalarda ham qo‘llash imkoniyatini beradi.
Nuqtaviy diodlarda «p-n” o‘tishning yuzasi juda kichik bo‘ladi, uning chiziqli o‘lchamlari «p-n” o‘tishning qalinligidan kichikdir.



1.2- rasm. Eritish usuli bilan tayyorlangan yassi diodning struktura sxemasi.
Nuqtaviy «p-n” o‘tishlar(1.3-rasm) yarimo‘tkazgich monokristali bilan metal simcha- prujinachaning kontakt joyida hosil bo‘ladi. YAna ham ishonchli kontaktga erishish uchun uni shakllantirishga berishadi, buning uchun terilgan dioddan qisqa tok impulslari o‘tkaziladi.

. 1.3- rasm. Nuqtaviy diodning struktura sxemasi.