Tajribani o‘tkazish tartibi. Laboratoriya sharoitida o‘lchash.
Galogen lampa shtativda laboratoriya stolidan maksimal balandlikka 35 sm o‗rnatiladi, lyuksmetr yordamida lampaning yoritilganligi QE sathi paralleligida o‗lchab olinadi.
O‗zgaruvchan yuklanish qarshiligini o‗zgartirish orqali birinchi QE tok va kuchlanish qiymatlari 1-jadvalga yozib olinadi. Laboratoriya sharoitida QE ning lampaning 35 sm balandlikda holatida eksperiment natijasida olingan VAX, VVX grafiklari quriladi.
1-jadval
Lampaning yoritilganligi (lyuks)
Lampadan QE bo‗lgan masofa (sm)
QE
toki (A)
QE
kuchlanis hi
(V)
QE ning nominal quvvati
QE ning salt yurish
kuchlani shi (V)
QE ning qisqa tutashuv toki (A)
QE
ning FIK (%)
35
35
35
35
35
35
35
35
35
Galogen lampa shtativda laboratoriya stolidan maksimal balandlikka 25 sm o‗rnatiladi, lyuksmetr yordamida lampaning yoritilganligi QE sathi paralleligida o‗lchab olinadi.
O‗zgaruvchan yuklanish qarshiligini o‗zgartirish orqali birinchi QE tok va kuchlanish qiymatlari 1-jadvalga yozib olinadi. Laboratoriya sharoitida QE ning lampaning 25 sm balandlikda holatida eksperiment natijasida olingan VAX, VVX grafiklari quriladi.
jadval
Lampaning yoritilganligi (lyuks)
Lampadan QE
bo‗lgan masofa (sm)
QE
toki (A)
QE
kuchlanishi (V)
QE
ning nominal quvvati
QE ning salt yurish kuchlanishi (V)
QE ning qisqa tutashuv toki (A)
QE
ning FIK (%)
25
25
25
25
25
25
25
25
25
Galogen lampa shtativda laboratoriya stolidan maksimal balandlikka 15 sm o‗rnatiladi, lyuksmetr yordamida lampaning yoritilganligi QE sathi paralleligida o‗lchab olinadi.
O‗zgaruvchan yuklanish qarshiligini o‗zgartirish orqali birinchi QE tok va kuchlanish qiymatlari 1 jadvalga yozib olinadi. Laboratoriya sharoitida QE ning lampaning 15 sm balandlikda holatida eksperiment natijasida olingan VAX, VVX grafiklari quriladi (3-jadval).
jadval
Lampa- ning
yoritilganligi (lyuks)
Lampa dan
QE
bo‗lgan masofa (sm)
Q
E toki (A)
QE
kuchlan
shi (V)
QE
ning nominal quvvati
QE
ning salt yurish kuchla
nish i Uxx (V)
QE
ning qisqa
tutas huv toki Ik.z.(A)
Q
E
ni ng FIK (%)
Tajriba natijalarini hisoblash
QE ning nominal quvvati Rn quyidagicha hisoblanadi.
𝑃𝑛= 𝑈𝑥.𝑥× 𝐼𝑘.𝑧× £
bu yerda ( – volt-amper xarakteristikasini to‗ldirish koeffitsiyenti. Kremniy asosidagi zamonaviy quyosh elementlari uchun £ -0,7-0,8 ni tashkil etadi.
£ = 𝑅𝑛 𝑅𝑝 𝑅𝑝 = 𝑈𝑥.𝑥 × 𝐼𝑘.𝑧 × £ -QE ning pik (ideal) quvvati
QE ning foydali ish koeffitsienti quyidagicha hisoblanadi.
5 = 𝑈𝑥.𝑥× 𝐼𝑘.𝑧×£× 100%
𝐸0 × 𝑆𝑝𝑣 𝑚2
bu yerda 𝐸0- Lampaning yoritilganligi (lk) 𝑉𝑡 ga almashtiriladi. 𝑆𝑝𝑣 – QE ning umumiy yuzasi (m2).
QE ning volt-amper va volt-vatt xarakteristikalari quyidagi rasmda ko‗rsatilganidek quriladi.
2-rasm. Quyosh elementining yoki FEBning volt-amper va volt-vatt
xarakteristikalari
Hisobotlarni tayyorlash
Berilgan laboratoriya ishiga zarur bo‗lgan ma‘lumotlarni ko‗rib chiqish.
Ishning nomi va uning maqsadi.
Quyosh elementining volt-amper va volt-vatt xarakteristikasi va uning to‗liq ish jarayonining yoritib bering.
Tajriba natijalari bo‗yicha 1-3 jadvallarni to‗ldiring.
Xulosa yozish.
Nazorat savollari
Quyosh elementi haqida nimalarni bilasiz?
Quyosh elementlarining ekvivalent va o‗lchash sxemalarini bilasizmi?
Quyosh elementining konstruktiv tuzilishini aytib bering?
Quyosh elementining asosiy parametrlari va xarakteristikalarini ayting?
Quyosh elementining yoki FEBning volt-amper va volt-vatt xarakteristikalarini qanday olish mumkin?
2 -LABORATORIYA ISHI FOTOELEKTRIK BATAREYANING VOLT-AMPER VA
VOLT-VATTXARAKTERISTIKASINIO‘RGANISH
Ishdan maqsad
Quyosh fotoelektrik batareyasining volt-amper xarakteristikasini olishni tajribada o‗rganish.
Quyosh fotoelektrik batareyasining volt-vatt xarakteristikasini olishni tajribada o‗rganish.
Qisqacha nazariy malumot
Fotoelektrik tizimlarda asosiy element sifatida quyosh elementlari xizmat qiladi.
Quyosh elementlari p-n turli yarimo‗tkazgichli materiallardan tashkil topgan. Quyosh nurlanishi yarimo‗tkazgichli material strukturasida yutilib elektron-kovaklar juftligini hosil qiladi, so‗ngra p-n o‗tish orqali ajratilib element old va orqa yuzasidagi metall kontaktlarda yig‗iladi. Quyosh
elementlaridan fotoelektrik modullar (quyosh panellari), modullardan esa quyosh batareyalari yig‗iladi.
Quyosh elementlarini ommaviy ravishda ishlab chiqarish uchun asosiy material sifatida hanuzgacha kristall kremniy hisoblanadi. Hamma quyosh elementlarining 80% dan ortig‗i u asosida tayyorlangan tagliklardan iborat bo‗ladi. Quyosh nurlanishini yaxshi yutish qobiliyatiga ega bo‗lmasada u boshqa yarimo‗tkazgich materiallarga qaraganda qator afzalliklarga ega:
Kremniy yer yuzasida kremniy oksidi shaklida keng tarqalgan.
Kremniy zararli va faol element bo‗lmagani uchun atrof muhitga zarar keltirmaydi.
3).Mikroelektronika sanoatida kremniy texnologiyasi yaxshi o‗rganilgan.
Kremniyli quyosh elementlarining amaliyotdagi samaradorligi 10-19% atrofidadir. Uning yupqa plenkalari kaskad quyosh elementlarini tayyorlashda ham ishlatiladi. Bu materiallarning kamchiligi vaqt o‗tishi, harorat ortishi, yuzasining changlanishi bilan xarakteristikalarining yomonlashishidir, shuningdek yuqori texnologiyaligi, ishlab chiqarishdagi chiqimlilik ham hisoblanadi.
Quyosh panellari (fotoelektrik batareya) odatda ketma-ket va parallel ulangan quyosh elementlaridan tashkil topadi.
Quyosh panellari ishonchli elektr energiyasi manbasi bo‗lishi uchun u tizimda qo‗shimcha elementlar bilan ta‘minlanishi zarur: kabellar, tizimning turiga (tarmoq bilan bog‗langan FES, avtonom, rezerv) bog‗liq ravishda struktura, elektron invertor, akkumulyator batareyalari to‗plami va zaryad-razryad kontrolleri. Bunday tizim butunligicha quyosh fotoelektrik sistema yoki quyosh stansiyasi deb nomlanadi.
Fotoelektrik sistemalarning 3 ta asosiy turi mavjuddir:
Odatiy holda alohida uylarning elektr ta‘minoti uchun qo‗llaniladigan avtonom FES