Изучение электро-физических параметров, электронной структуры и механизмов переноса носителей заряда кмп с различными металлическими пленками



Yüklə 4.92 Mb.
tarix18.01.2017
ölçüsü4.92 Mb.









Изучение электро-физических параметров, электронной структуры и механизмов переноса носителей заряда КМП с различными металлическими пленками

  • Изучение электро-физических параметров, электронной структуры и механизмов переноса носителей заряда КМП с различными металлическими пленками

  • (Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Ti10W90/n-Si, TiCu/n-Si, AlNi/n-Si),

  • подразумевающее:

  • выявление функциональных возможностей новых контактных структур;

  • анализ физических явлений, на основе которых могут быть созданы многофункциональные приборы.



Для достижения настоящей цели были

  • Для достижения настоящей цели были

  • поставлены следующие задачи:

  • исследовать ВАХ диодов Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Ti10W90/n-Si, TiCu/n-Si, AlNi/n-Si в широкой области изменения температуры;

  • исследовать диэлектрические свойства диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si на основе анализа C-V и G/w-V характеристик в широкой области изменения частоты и смещения;

  • разработать метод вычисления плотности поверхностных состояний на основе измерения ВАХ;

  • исследовать расределение поверхностных состояний диодов Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Ti10W90/n-Si, AlNi/n-Si в запрещенной зоне кремния;



исследовать влияние освещения на характеристики диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si;

  • исследовать влияние освещения на характеристики диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si;

  • исследовать индуктивные свойства диодов Al-TiW-PtSi/nSi и Al-TiW-Pd2Si/n-Si;

  • исследовать зависимость ВАХ от геометрических размеров диодов с поликристаллической (TiCu/n-Si) и аморфной (AlNi/n-Si и Ti10W90/n-Si) металлическими пленками;

  • разработать метод вычисления толщины диэлектрического зазора КМП;

  • исследовать влияние металлической пленки на электронную структуру полупроводниковой подложки методом фотолюминесценции (ФЛ).



В качестве объекта исследования были выбраны

  • В качестве объекта исследования были выбраны

  • контактные структуры на основе барьера Шоттки

  • с различными по роду и кристаллической структуре

  • металлическими пленками:

  • Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si - монокристаллическая,

  • TiCu/n-Si - поликристаллическая,

  • AlNi/n-Si, Ti10W90/n-Si - аморфная.









комплексным характером исследований;

  • комплексным характером исследований;

  • достаточным количеством идентичных измерений c применением современных приборов высокой точности;

  • хорошо апробированных экспериментальных и теоретических методик;

  • численной обработкой на основе компьютерных программ EXEL, MATLAB;

  • применением теоретического анализа;

  • сравнением полученных данных с существующими теориями.





4. Особенности и причина изменения электрически активной площади

  • 4. Особенности и причина изменения электрически активной площади

  • контакта с поликристаллической металлизацией и ее отличие от

  • внешней площади диода;

  • 5. Возможность вычисления эффективной толщины диэлектрического

  • зазора контакта металл-полупроводник с поликристаллической

  • металлизацией на основе анализа ВАХ.

  • 6. Причины возникновения диэлектрических потерь и индуктивных

  • свойств диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si .

  • 7. Особенности спектров фотолюминесценции диодов, их зависимость

  • от выбора контактирующих материалов и причины их возникновения.



определяется следующими выводами:

  • определяется следующими выводами:

  • Экспериментально изучены (I-V, C-V и G/ω-V ), и характеристики диодов

  • Al-TiW-PtSi/n-Si, в широкой области изменения температуры. Выявлено, что

  • при низких температурах контактная структура Al-TiW-PtSi/n-Si может быть

  • использована в качестве туннельного диода:

  • На основе анализа экспериментальных характеристик и исследованы

  • диэлектрические свойства контактных структур Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si в широкой области изменения температуры и тестового сигнала. Исследование параллельной проводимости диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si в широкой области изменения температуры и тестового сигнала представляет интерес для использования указанных КМП в качестве аналогов индуктивности;

  • 2. Метод вычисления распределения плотности поверхностных состояний позволяет выявить электронные состояния в запрещенной зоне полупроводника КМП;



С применением разработанного теоретического метода определения

  • С применением разработанного теоретического метода определения

  • толщины диэлектрического зазора возможно определение толщины

  • зазора из ВАХ;

  • Метод ФЛ выявил возникновение протяженных дефектов при осаждении металлической пленки на полупроводник в КМП;

  • 5. Результаты исследования при освещении выявили возможность использования диодов в качестве светодиодов (СД);

  • 6. Проведенные исследования диодов Шоттки малых размеров (1х10-6см2 ÷ 14х10-6см2) создают предпосылку для изготовления многофукциональных приборов;

  • 7. Результаты могут иметь важное значение при отработке технологических режимов получения диодов Шоттки и оценке взаимосвязи свойств материала с параметрами приборов.

















































Рис.3.2. Зависимость lnIs/AT2

  • Рис.3.2. Зависимость lnIs/AT2

  • от 1000/T для Al-TiW-Pd2Si/n-Si































D=ln N/ln r(N)

  • D=ln N/ln r(N)

































































































Поделитесь с Вашими друзьями:


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©www.azkurs.org 2019
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə