Bajardi : cae007-guruh talabasi



Yüklə 277,32 Kb.
səhifə7/7
tarix16.05.2023
ölçüsü277,32 Kb.
#114006
1   2   3   4   5   6   7
E va S 2

AV sinf kuchaytirgichlar. AV kuchaytirish rejimida ishchi nuqta berkitish chegarasida emas, balki EO‘ to‘g‘ri (zatvor-istok o‘tish teskari) siljitilgan sohada, A sinfidagiga qaraganda ancha kichik toklarda bo‘ladi.
FIKi kichik bo‘lgani sababli A sinf mikroelektronikada kamishlatiladi. V va AV sinflarning ikki taktli kuchaytirgichlari keng tarqalgan.

a) b)


6-rasm.V sinfida ishlaydigan ikki taktli kuchaytirgich sxemalari:


BT (a) va IVTli (b).



7-rasm. Uzatish xarakteristikasida kuchaytirgich
chiqish signalining shakli.

Nochiziqli buzilishlarni oldini olish uchun tranzistorlar bazalariga sath siljituvchi sxema yordamida siljituvchi kuchlanish beriladi.


ChKning AV sinfida ishlashini ta’minlash uchun qo‘llaniladigan an’anaviy sxemalardan biri 7-rasmda keltirilgan. Tranzistorlar bazalari orasiga alohida siljituvchi kuchlanish beriladi. Bundan tashqari, tranzistorlar o‘ta yuklanishdan, masalan, yuklama elektrodi tasodifan kuchlanish manbaining elektrodiga ulanishidan himoyalangan.



VD1

VD2


8-rasm. Avsinf rejimida ishlaydigan ChK sxemasi.


Keltirilgan sxema elementlari vazifasini ko‘rib chiqamiz.
VT1 va VT2 chiqish tranzistorlarini boshqaruvchi kuchlanishni hosil qilish uchun kuchaytirgichda VT3 asosidagi qo‘shimcha kaskad ishlatilgan. UUE sxemada ulangan. Rezistor R chiqish toki bo‘yicha ketma-ket manfiyTA zanjirini hosil qiladi. U kaskad ish rejimini barqarorlaydi. Bundan tashqari, VT3 tranzistor butun ChK kuchaytirish koeffitsiyentini oshiradi. R qarshilik qiymati shunday tanlanadiki, A nuqta potensiali, sokinlik rejimida nolga teng bo‘lsin. VD1 va VD2 diodlar VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil bo‘lgani uchunV nuqta potensiali (sokinlik rejimida kaskadning ChK kuchlanishi) ham nolga teng bo‘ladi.
VT1 va VT2 tranzistorlar ikki taktli tok kuchaytirgichning yelkalarini tashkil etadi. Kirish kuchlanishining har bir yarim davrida yuklama toki kuchaytirgichning o‘z yelkasi bilan hosil qilinadi. VT4 va VT5 tranzistorlar VT1 va VT2 tranzistorlarni o‘ta yuklanishdan saqlash uchun xizmat qiladi. VD1 va VD2 diodlar BTG bilan birgalikda AV sinf ish rejimini ta’minlash uchun siljitish zanjirlarini hosil qiladi. Siljitish zanjirlari VT1 va VT2 tranzistorlarga emitter-baza kuchlanishlarni berish uchun xizmat qiladi.
BTG toki I0 signal mavjud bo‘lmaganda, diodlardagi kuchlanish pasayishi kichik bo‘ladigan qilib tanlanadi, VT1 va VT2 hamda VT4 va VT5 tranzistorlar deyarli berk holatda bo‘ladi.
Kuchaytirgich kaskadning ishlash prinsipini ko‘rib chiqamiz. VT3 tranzistor kirishiga signalning musbat yarim davri berilgan bo‘lsin. U emitter toki va mos ravishda, ushbu tranzistor kollektor tokining ortishiga olib keladi. Bunda S nuqta potensiali pasayadi, chunki bu nuqtaga keluvchi tok qiymati o‘zgarmas va BTG toki I0ga teng, undan ketuvchi tok (VT3 tranzistor kollektor toki) qiymati esa ortadi. VT1 tranzistor bazasi bilan ulangan S nuqta potensialining pasayishi VT1ni berkitadi va uning baza toki nolga teng bo‘lib qoladi. Lekin bunda VD1 va VD2 diodlardan o‘tuvchi tok I0ga teng bo‘ladi va F nuqta potensiali, S nuqta holatidek sababga ko‘ra pasayadi. F nuqta potensiali pasayishi (VT2 tranzistor baza potensiali) VT2 tranzistor baza tokining ortishiga, demak, ushbu tranzistor emitter tokining ham ortishiga olib keladi. BTG mavjud bo‘lgani sababli baza tokining o‘zgarishi VT3 tranzistor kollektor toki o‘zgarishiga teng, ya’ni


(10)

VT2 tranzistor emitter toki ortishi yuklamada IE2 yo‘nalishda tok paydo bo‘lishiga olib keladi. VT1 tranzistor berk bo‘lgani uchun




(11)

Tranzistor toklari orasidagi munosabatlarni e’tiborga olgan holda, (6.10) va (6.11) asosida:




(12)

Teng bo‘ladi. Bu yerda, β3, β2 – mos tranzistorlar baza toklarini uzatish koeffitsiyentlari qiymatlari.


Shunday qilib, kaskadning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti


(13)
Kirishga manfiy yarim davrli kuchlanish UKIR berilganda VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa berk bo‘ladi. Yuklamadagi chiqish toki IE1 yo‘nalishga ega bo‘ladi.
Kaskadning chiqish qarshiligi amalda VT2 yoki VT1 tranzistorlarning to‘g‘ri siljigan EO‘lari qarshiligiga teng, ya’ni juda kichik bo‘ladi.
VT4 va VT5 tranzistorlarning himoyalovchi funksiyalari quyidagicha amalga oshadi: Normal ish rejimida ular berk. Katta signalda yoki chiqish tasodifan kuchlanish manbaining elektrodlaridan biriga qisqa tutashganda VT4 va VT5 tranzistorlardan biri ochiladi va natijada, himoyalovchi VT1 yoki VT2 tranzistorlar baza tokining bir qismi oqadi va shu bilan VT1 va VT2 tranzistorlarning emitter-baza o‘tishi shuntlanadi. Bu ularni o‘ta yuklanishdan saqlaydi.
Quvvat kuchaytirgichlarda chiqish tranzistorlari sifatida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ushbu prinsiplar Mtlar asosidagi ChKlarni loyihalashda ham ishlatiladi. Btlar asosidagi qurilmalarga qaraganda bunday sxemalar nochiziqli buzilishlarning kichikligi va temperaturaga bardoshligi bilan farq qiladilar.

Xulosa:
Xulosa qilib shuni ta'kidlaymizki, “A” sinfda mansub ovoz kuchaytirgich kaskadlari , ayniqsa, kirish oqimlari, nolga teng kuchlanish va differentsial kuchlanishning kuchayishi bo'yicha yuqori talablarga ega. K U. Yuqori oqimlar va nol ofset kirishda signal bo'lmaganda chiqish kuchlanishining sezilarli darajada siljishiga olib kelishi mumkin va etarli daromad bo'lmasa, integrator filtr hisoblanadi. past chastotalar daromad bilan birinchi buyurtma K U va vaqt doimiysi (1+ K U) R.C.
Hozirgi kunda elektron, yarimo`tkazgichli hamda elektromagnitlar asosida turli qurilmalar, avtomatlashtirilgan sanoat robotlari va manipulyatorlar tuzilmoqda. Ular yordamida tehnologik jarayonlarni boshqarish, nazorat va axborot sistemalari takomillashmoqda.
Agregatli komplekslar nomentklaturasi shunday tuziladiki, nisbatan oz bloklar yig`indisini ma`lum soniida turli murakkablikka vazifaga ega bo`lgan qurilma va sistemalar ko`rish mumkin bo`lsin. Agregat kompleksiga misol qilib emirilmaydigannazorat qurilmasi kompleksini olish mumkin. Uni tarkibiga mashina, belgilangan cjastota generatori, analog-diskret o`zgartirgich va bir kanalli o`zi yozar rezistorlar subbloklari hamda bazi bir boshqa bloklar kiradi.
Elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni konstruktiv bajarilishi juda hilma hil va ularni vajifalari ishlatilish sohasi bilan aniqlanadi. Maslan stasionar sharoitlarda ishlash uchun mo`ljallangan elektron apparaturani samoliot bortiga yoki kosmik kemada ishlatiladihan apparaturadan farqi katta.
Foydalanilgan adabiyotlar:

  1. Qosimov S.S “Axborot texnologiyalari” texnik oliy o’quv yurtlari uchun

uslubiy qo’lanma. Toshkent.: “Aloqachi” 2006

  1. Internet ma’lumotlari.

  2. www. Orbita.uz, www. Atomiyme.com, www. Skueak.com saytlari.

Yüklə 277,32 Kb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©www.azkurs.org 2025
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin