Negative magnetoresistance in silicon doped with manganese

References 
1.
Orlov, A. F., Kulemanov, I. V., Parkhomenko, Yu. N., Perov, N. S., and Semisalova, 
A. S. Development of ferromagnetic semiconductors for use in spin electronics: state 
of the art and prospects. News of higher educational institutions. Materials of 
electronic engineering, (3), 4-12. (2011).
2.
Orlov, A. F., Balagurov, L. A., Kulemanov, I. V., Parkhomenko, Yu. N., Kartavykh, A. 
V., Saraikin, V. V., Zinenko, V. I. Spreading resistance and compensation of charge 
carriers in ferromagnetic silicon implanted with manganese. Physics and Technology 
of Semiconductors, 44(1), 30-33. (2010). 
3.
Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Kalagin, A. K., 
Kudryashev, V. M., and Toropov, A. I. Negative linear classical magnetoresistance in a 
corrugated two-dimensional electron gas. Physical Review B, 70(23), 235326. (2004). 
4.
Mirlin, A. D., Tsitsishvili, E., and 
Wölfle, P
. Magnetotransport in lateral superlattices 
with small-angle impurity scattering: Low-field magnetoresistance. Physical Review B, 
64(12), 125319. (2001).
5.
Renard, V., Kvon, Z. D., Gusev, G. M., and Portal, J. C. Large positive 
magnetoresistance in a high-mobility two-dimensional electron gas: Interplay of short-
and long-range disorder. Physical Review B, 70(3), 033303. (2004).
6.
Endo, A., and Iye, Y. Origin of positive magnetoresistance in small-amplitude 
unidirectional lateral superlattices. Physical Review B, 72(23), 235303. (2005). 
7.
Smith, M. F., and McKenzie, R. H. Anisotropic scattering in angular-dependent 
magnetoresistance oscillations of quasi-two-dimensional and quasi-one-dimensional 
metals: Beyond the relaxation-time approximation. Physical Review B, 77(23), 
235123. (2008).
8.
Owens, F., and Poole, C. Nanotechnologies. Technosphere. (2009). 
9.
Yunusov, Z. A., Yuldashev, S. U., Igamberdiev, K. T., Kwon, Y. H., Kang, T. W., 
Bakhadyrkhanov, M. K., and Zikrillaev, N. F. Ferromagnetic states of p-type silicon 
doped with Mn. Journal of the Korean Physical Society, 64, 1461-1465. (2014). 
10.
Bakhadirkhanov, M. K., Ayupov, K. S., Mavlyanov, G. H., and Isamov, S. B. Negative 
magnetoresistance in silicon with manganese-atom complexes [Mn] 4. 
Semiconductors, 44, 1145-1148. (2010).
11.
Abdurakhmanov, B. A., Ayupov, K. S., Bahadyrkhanov, M. K., Iliev, Kh. M., 
Zikrillaev, N. F., and Saparniyazova, Z. M. Low-temperature diffusion of impurities in 
silicon. Reports of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan, 4, 32-36. 
(2010). 
12.
Nikitin, S. A. Giant magnetoresistance. Soros Educational Journal, 8(2), 92. (2004). 
13.
Prinz, G. A. Spin-polarized transport. Physics today, 48(4), 58-63. (1995).
14.
Nagaev, E. L. Lanthanum manganites and other magnetic conductors with giant 
magnetoresistance. Advances in Physical Sciences, 166(8), 833-858. (1996).
15.
Bahadyrkhanov, M. K., Iliev, H. M., Mavlyanov, G. Kh., Satarov, O. E., Egamberdiev, 
B. E., Saparniyazova, Z. P., and Tachilin, S. A. Mobility of charge carriers in silicon 
with multiply charged nanoclusters of manganese atoms. In VI-international 
conference and V-school of young scientists and specialists. Silicon
–
2009, 
Novosibirsk, pp. 7-10. (2009). 
E3S Web of Conferences 
401
, 05094 (2023)
CONMECHYDRO - 2023
https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340105094
8

---

16.
Kamilov, T. S., Ernst, I. V., and Samunin, A. Yu. Peculiarities of enhancement and 
quenching of photoconductivity in Mn4Si7
–
Si (Mn)
–
Mn4Si7 and Mn4Si7
–
Si (Mn)
–
M 
heterostructures. Journal of Technical Physics, 84(12). (2014).
17.
Kamilov, T. S., Ernst, I. V., and Samunin, A. Yu. Peculiarities of enhancement and 
quenching of photoconductivity in Mn4Si7
–
Si (Mn)
–
Mn4Si7 and Mn4Si7
–
Si (Mn)
–
M 
heterostructures. Journal of Technical Physics, 84(12). (2014). 
18.
Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. Spin Resonance of Deep Level 
Impurities in Germanium and Silicon // J.Phys.Chem. Sol., 1959. V.8. P.490. 
19.
Fistul, V. I., Kazakova, V. M., Bobrikov, Yu. A., Ryabtsev, A. V., Abdurakhmanov, K. 
P., Zainabidinov, S., and Utamuradova, Sh. B. On the state of impurity manganese ions 
in silicon. FTP, 16(5), 939-941. (1982).
20.
Kreissl, J., and Gehlhoff, W. Electron paramagnetic resonance of the Mn cluster in 
silicon. physica status solidi (b), 145(2), 609-617. (1988).
21.
Bakhadyrkhanov, M. K., Mavlonov, G. K., Isamov, S. B., Iliev, K. M., Ayupov, K. S., 
Saparniyazova, Z. M., and Tachilin, S. A. Transport properties of silicon doped with 
manganese via low-temperature diffusion. Inorganic materials, 47, 479-483. (2011). 
22.
Bakhadyrkhanov, M. K., Ayupov, K. S., Mavlyanov, G. K., Iliev, K. M., and Isamov, 
S. B. Photoconductivity of silicon with nanoclusters of manganese atoms. Russian 
Microelectronics, 39, 401-404. (2010). 
E3S Web of Conferences 
401
, 05094 (2023)
CONMECHYDRO - 2023
https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340105094
9