«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant

Ko‘chkisimon teshilish nisbatan keng p-n o‘tishlarda sodir bo‘ladi. Bunday o‘tishda teskari kuchlanishda elektron va kovaklar zarba ionizatsiyasi uchun yetarli bo‘lgan energiya oladilar va natijada qo‘shimcha elektron-kovak juftlar hosil bo‘ladi. Bu juftliklarning har bir tashkil etuvchisi, o‘z navbatida, elektr maydonida tezlashib, yana yangi juftlikni yuzaga keltiradi va h.k Zaryad tashuvchilarning bunday ko‘chkisimon ko‘payishi natijasida o‘tishdagi tok keskin ortadi.
Tor p-n o‘tishga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlarda tunnel effektiga asoslangan tunnel teshilish sodir bo‘ladi. U_TYeS ^ U_ChYeG yetganda zaryad tashuvchilarning bir sohadan ikkinchisiga energiya sarf qilmasdan o‘tishiga imkon yaratiladi (tunnel effekti). U_ChYeGning yanada ortishi bilan shuncha ko‘p zaryad tashuvchilar tunnel o‘tishi sodir etadilar va teskari tok keskin ortib boradi.


P-n o‘tishda issiqlik teshilishi teskari tok o‘tish natijasida o‘tishning qizishi hisobiga sodir bo‘ladi. Teskari tok, issiqlik toki bo‘lib, u ortgan sari qizish ham ortadi. Bu holat tokning ko‘chkisimon ortishiga olib keladi, natijada p-n o‘tishda issiqlik teshilishi yuz beradi va u ishdan chiqadi.

3. 
   Bipolyar taranzistorlarning ish rejimlari
   

UB ulanish sxemasida aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar tranzistorni o`zgarmas tokda ishlashini qo`rib chiqamiz (27 a,b,v- rasm). Bipolyar tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo`lib baza sohasining etarlicha kichik kengligi W hisoblanadi; bu vaqtda

W L sharti albatta bajarilishi kerak (L-bazadagi asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligi).
Bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy hodisaga asoslangan:

• emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injektsiyasi;

  
  

• bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o`tishi;

  
  

• bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o`tishga

  
  

etib kelgan asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga ekstraktsiyasi.

Emitter o`tish to`g`ri yo`nalishda siljiganda (U_EB kuchlanish manbai bilan ta`minlanadi) uning potentsial to`siq balandligi kamayadi va emitterdan bazaga elektronlar injektsiyasi sodir bo`ladi. Elektronlarning bazaga injektsiyasi, hamda kovaklarni bazadan emitterga injektsiyasi tufayli emitter toki I_E shakllanadi. Shunday qilib, emitter toki

I_E 

^Iep

• 
  
  I_er
  

, (3.4.1)

bu erdaI_ep, I_er mos ravishda elektron va kovaklarning injektsiya toklari.
Emitter tokining I_er tashkil etuvchisi kollektor orqali oqib o`tmaydi va zararli hisoblanadi (tranzistorning qo`shimcha qizishiga olib keladi). I_er ni kamaytirish maqsadida bazadagi aktseptor kiritma konsentratsiyasi emitterdagi donor kiritma konsentratsiyasiga nisbatan ikki darajaga kamaytiriladi.